肖特基势垒二极管（SBD）是一种采用半导体和金属（比如：钼）结合，而不是采用pn结的器件。一般来说，金属与n型层结合的半导体已经实现了商业化。由于其正向电压小， ...

肖特基二極體是以其發明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極體（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸 ...

SBD肖特基二極體，屬於大電流、低功耗、低壓、超高速半導體功率器件。它的正嚮導通壓降僅為0.4V左右，反向恢復時間極短，可小至幾納秒；其整流電流可 ...

合碩盟企業有限公司Shimmer Enterprise Co., Ltd. : 蕭特基二極體(SBD) - 電容器 ... 精密電阻,高壓電阻,不燃性塗裝繞線電組,電解電容,Y電容,X2電容,二...

肖特基二極管是以其發明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸 ...

不使用pn结，而是使用某种金属与n型半导体结作为二极管。这种结叫做肖特基结。 ... 反向电流因势垒金属的种类而异，根据使用势垒金属的种类，可将SBD分成多种类型。

SBD是肖特基二極體（Schottky Barrier Diode,縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結原理製作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬－ ...

SiC採用高速元件構造之SBD(蕭特基二極體)構造，可實現600V以上的高耐壓二極體(Si則SBD ... SiC-SBD的初始電壓與Si-FRD相同、接近1V。 ... SiC半導體 · Si...

一般二極體是利用PN接合的方式，而擁有二極體的特性，但蕭特基二極體卻是利用接合金屬和半導體後，所產生的蕭特基屏障的二極體。一般而言，相較於採用PN接合的二極體， ...